vcsel刻蚀工艺研究论文

本论文对十二路并行光发射模块中的VCSEL阵列进行设计与研制,采用所研制 的VCSEL阵列制备了光发射组件。 采用GaAs基850nmVCSEL激光器外延片,经过光刻、刻蚀、湿

刻蚀工艺研究 【作者】 左亮 【关键词】垂直腔面发射激光器 VCSEL 氧化物限制结构 湿法刻蚀 【出版日期】2010-03-01 【论文级别】硕士 【导师】王晓华 【摘要

3)在上面生长一组P掺杂的GaAs/AlAs。 4)刻蚀出一个圆环形区域,从而定义出区域中直径几微米的激光器。 5)通常金属接触位于顶部环绕器件环上,通常要在顶部反射镜堆叠中,通过氧化暴露

VCSEL器件的ICP刻蚀工艺进行实验研究。 采用ULVAC公司的NE-950EXz刻蚀机对GaAs基材料进行刻蚀,日本电子公司的JSM-7500F扫描电子显微镜对刻

说到VCSEL芯片的制程工艺,李军老师选择了几个关键点进行重点讲解,其中包括光刻、金属剥离、刻蚀以及氧化工艺等,并对这些工艺中会出现的异常现象提出了相应的解决方案,理论联合案例,

OIPT在ICP刻蚀和PECVD沉积方面的丰富经验积累,对未来5-10年VCSEL器件市场提出完整的刻蚀与沉积解决方案,重点讨论目前应用较广的几项工艺,包含GaAs的刻蚀,斜向InP刻蚀,光电组件所需

刻蚀工艺技术应用研究分析毕业设计论文.doc,本科毕业设计（论文） PAGE \* MERGEFORMATIII 本科毕业设计（论文） 摘 要 在半导体出现在人们的视野中后，就

采用刻蚀技术制作出氧化窗口以暴露出待氧化层。 干法刻蚀是VCSEL制作中较普遍采用的技术,但其成本高,工艺复杂。 本文选用成本低,方法简单,便于操作的 湿法

长春理工大学硕士学位论文VCSEL刻蚀工艺研究姓名：****学位级别：硕士专业：凝聚态物理指导教师：**华20100301垂直腔面发射半导体激光器（VCSEL）具有

主要进行了以下的工作: 1、研究VCSEL制备工艺,优化VCSELs的垫台,金属上电极制备,氧化等工艺,改进制备流程,提高器件的成品率。 2、探究用干法刻蚀工艺制备光子晶体VCSELs,并对