半导体学报论文格式

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图1. 图左(论文图1(c))5 nm GaSbBi膜层STM形貌;图右(论文图1(e)):10 nm GaSbBi膜层STM形貌。 该工作展示了在磷化铟材料平台上实现环内增益可控、超低峰峰值电压、高调制深度微环调制