半导体学报2021

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摘要开发室温下或高于室温时具有较大自旋极化的稀磁半导体是发展自旋电子器件的关键。过渡金属Co离子掺杂的纳米级TiO2基稀磁半导体(Co-TiO2)由于具有较高居里温度

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科学网半导体学报2021年第7期中文导读

开发室温下或高于室温时具有较大自旋极化的稀磁半导体是发展自旋电子器件的关键。过渡金属Co离子掺杂的纳米级TiO2基稀磁半导体(Co-TiO2)由于具有较高居里温度

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