忆阻器论文参考文献

SCI论文257篇, 关于忆阻器的SCI论文在2013年 被引用3647次. 目前, 忆阻器的研究已成为物理、电子、材料、纳米等领域的前沿和热点, 并呈现出多学科交叉融 合的

感、电容后，人类发现的第四种无源基本电子元器件，其材料大致可分为五类：金属氧化物、钙钛矿、固态电介质、硫系化合物半导体、有机材料。由于忆阻器的

改5-毕业论文-忆阻器6.12. 本科毕业论文（设计）（2019题目局部有源忆阻器在混沌振荡电路中的应用学院电子信息学院专业电子信息科学与技术班级15041912学

本文主要包括以下内容:(1)对忆阻器建模进行了研究,在HP实验室提出的TiO2忆阻器理论模型基础之上,利用模拟电路设计了一个等效的荷控型忆阻器电路模型和一个磁

第二章 忆阻器件的特性 忆阻器件的结构简单，制作忆阻器件主要利用磁控溅射、电子束蒸发、热氧生长等与现有的 CMOS 工艺兼容的工艺流程，该特点利于实现

忆阻器是除电阻、电容、电感之外的第四种电路元件，在信息存储、逻辑运算和神经网络等研究领域具有重要的应用前景. 本文综述了忆阻器以及忆阻器材料的研究

2010年密歇根大学卢伟教授团队[7]提出可以通过操控忆阻器件中离子迁移过程而精细调控器件电导值,率先在Si:Ag忆阻器中实验模拟实现了突触权重调节行为和脉冲时序依赖突触可塑性,从而

蔡少棠教授原先的想法是：忆阻器的电阻取决于多少电荷经过了这个器件。. 即让电荷从一个方向流过，电阻会增加；如果让电荷反向流过，电阻就会减小。. 这种器

加州大学伯克利分校教授蔡少棠,1971年发表《忆阻器:下落不明的电路元件》论文,提供了忆阻器的原始理论架构,推测电路有天然的记忆能力,即使电力中断亦然。惠普实验室的论文则以《寻获下落不明的忆