优质答主摘要本论文采用实验与第一性原理计算相结合的方法,研究了Cr掺杂ZnO薄膜、Zn/ZnO纳米核一壳结构样品、ZnO/A1N异质结构的自旋相关输运性质,并对ZnO基稀磁半导体材料
精品论文文献zno基稀磁半导体的铁磁性机理
本论文采用实验与第一性原理计算相结合的方法,研究了Cr掺杂ZnO薄膜、Zn/ZnO纳米核一壳结构样品、ZnO/A1N异质结构的自旋相关输运性质,并对ZnO基稀磁半导体材料
半导体ZnO掺杂改性研究
期刊文献 会议半导体ZnO掺杂改性研究半导体 ZnO 掺杂改性研究 杨雪;邹贺 【摘要】氧化锌(ZnO)通过适量掺杂可以提高自身的热学性能,表现出较好的低阻 特征,对有害气体、可燃气
ZnO基稀磁半导体材料研究进展
论文导读:在化合物半导体中,由磁性离子部分地代替非磁性离子所形成的一类新型半导体材料,称之为稀磁半导体。通过对单掺杂金属的ZnO样品及共掺杂的样品的结构分
铜锰共掺杂ZnO合成研究分析
ZnO基稀磁半导体想广泛被应用必须解决掺杂浓度低和生长重复性困难等,若再想更进一步研究,还需解决处理自旋注入、运输和控制等方面所需要提高。 参考文献: [1]
CoMn掺杂ZnO稀磁半导体特性研究
o掺杂ZnO和Mn掺杂ZnO均趋向于紧密构型,即当掺杂原子间距离较近时,体系基态能量更低、结构更稳定。. (2)根据掺杂位置的分析结果,构建了紧密构型下的Co
N掺杂ZnO的研究进展
掺杂ZnO的研究进展 要:ZnO是一种宽禁带,高激子能的半导体,N掺杂能够减小禁带宽度,极大的改变ZnO的电子和光学性能。. 本文介绍了目前对ZnO 进行N 掺杂的方
纳米材料类毕业论文文献推荐10篇
摘要:宽禁带直接带隙半导体材料氧化锌(ZnO),具有优异的光电性能、机械性能和化学特性.ZnO材料的结构对其性能影响较大,元素掺杂可改变ZnO晶体结构和带隙宽度,是
半导体材料ZnO专题介绍
5.2.1 氧化锌的p 型掺杂和p-n 结的制作 半导体激光器通常利用间并p-n 结的正向注入来实现，它不同于发光二极 管，制备半导体激光器的材料必须能实现有效的n
P型ZnO薄膜制备和掺杂的研究
陈汉鸿.叶志镇 ZnO薄膜的掺杂和转型的研究进展[期刊论文]-半导体情报2001,38(2) 引证文献(1条) 1.宫丽,冯现徉,逯瑶,张昌文,王培吉 Ta掺杂对ZnO光电材料性能影
掺杂ZnO稀磁半导体磁性的第一性原理计算
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本论文采用实验与第一性原理计算相结合的方法,研究了Cr掺杂ZnO薄膜、Zn/ZnO纳米核一壳结构样品、ZnO/A1N异质结构的自旋相关输运性质,并对ZnO基稀磁半导体材料
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半导体杂志 省级期刊1个月内下单 《半导体》杂志创办于1976,是天津市科委主管的国家重点学术期刊,省级期刊,现被上海图书馆馆藏等机构收录,主要栏目:研究报告、文献综述、简报
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半导体杂志 天津 电子部天津电子材料研究所 天津市电子学会。 附录二—五 刊名总索引、核心刊索引、国内版外文期刊一览表等 《乌利希国际期刊指南》和《外国
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