硅光电池特性的研究论文

本文(硅光电池特性实验(共三个实验)-(1))为本站会员(我***岁)主动上传,人人文库网仅提供信息存储空间,仅对用户上传内容的表现方式做保护处理,对上载内容本身不做任何修改或编

本实验仅对硅光电池的基本特性和简单应用作基本的了解和研究。. 硅光电池是一种P—N结的单结光电池，当光照射到P—N结时，由于光激发的光生载流子的迁移，

研究表明,硅光电池的短路电流 ISC 随光照强度线性增大,开路电压 UOC 随着光照强度的增加而增加,光照比较小时,变化率较大,当光照强度达到一定值之后,变 化率较小

5、硅光电池的光谱响应实验中最大的灵敏度对应的波长范围大概为1000nm左右，而实验中的最大为300左右，因此只能看到特性曲线中的一段。. 6、误差

摘要:采用开放式的实验平台设计了硅光电池系列实验,测量了硅光电池在全暗和光照下的伏安 特性,开路电压、 短路电流和输出电压与光照强度的关系,以及短路电流和开 路电压与温

子求得为 0.722。最 后，我们得到了短路电流与开路电压和相对光强的近似函数关系，其可由式（7）和式 （8）表示。 通过此次对硅光电池特性的测定，不但加

1．研究硅光电池的照度（光强）特性，用特性曲线表示结果． （1）测量硅光电池的短路电流与照度间的关系； 由于硅光电池的短路电流随照度的变化太大从而给

其次,光电池原理的另一个重要理论依据是光伏效应原理。光生伏特效应是指半导体在受到光照射时产生电动势的现象。具体地说,如果光线照射在太阳能电池上并且光在

正文硅太阳能电池光谱响应曲线测定研究性实验摘要:摘要:采用溴钨灯作为光源,运用光栅单色仪选择丌同频率的光照射硅太阳能电池,测得了丌同波长光照时的短路电

]， 入射到硅光电池的光强为 I＝I0 cos2α （ 1） 式中 α为两偏振片的夹角。 式（ 1） 表明， 透射 光强度随 α的 不 同 而 变 化 ， 即通过调节 α可改变透射光强度。