光子硅研究进展论文

一种CMOS工艺兼容的高效氮化硅表面光栅耦合器. 光通信技术. 2022(06): 6-9 . Other cited types(1) Proportional views Amount of accessAbstract Views, HTML

为了实现硅基器件性能的突破,以硅材料为基底引入 多材料是硅光子的必然选择。如硅基引入 Ge 材料制作 GeSi 探测器已成为一项标 准工艺,需要解决外延生长过程中大的晶格失配,K

考虑到driver与硅光MRM的对接,首先,调制器PN结(也就是差分两端)之间需要一个反向偏置,因此driver和MRM通过电容耦合,阴极和阳极分别通过电阻外加偏压;其次,MRM的容性负载导致driver输

光子芯片研究进展及展望. 发布时间：20年12月25日. 王俊 杨晓飞. 王俊. 中国科学院上海光学精密机械研究所研究员，微纳光电子功能材料实验室主任. 杨晓飞. 博

范智斌, 等: 氮化硅光子器件与应用研究进展 999 1引言 氮化硅(Silicon Nitride)是由硅元素和氮元素 构成的无机化合物,其研制主要依靠人工条件合 成。除了常见的普通氮化硅(

硅基光子学研究进展和未来发展.doc,专题报告-2007年6月 硅基光电子学研究概况 编者按：本文介绍了硅基光电子技术的研究现状、重点研究方向、技术难点以及

讲师简介:Johnny Yap 于 2014年获得新加坡国立大学物理学博士学位。论文重点研究极低低温和超高真空环境下半导体表面的原子级互连。 叶博士也是一位光子学和射频测试专家,过去八年

3、硅基光电集成 近年，随着硅基光子材料与器件研究所取得的重大进展，硅基光电集成的研究也日渐引 起了材料和器件物理学家的极大关注。虽然尚无成熟的

与混合集成光源相比,单片集成方案最主要的优势是其能够与硅光子工艺同步缩小线宽、提高集成度,在大规模光子集成芯片的研制中有巨大潜力,这也是硅光子技术的主要发展方向。 硅

氮化硅材料提供了一种与CMOS兼容的集成光子平台，具有丰富的光学特性。通过调节相关制备参数，可以获得特定折射率的薄膜材料，且消光系数和非线性系数具