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肖汉宁教授再结晶碳化硅的研究和应用
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毕业论文晶体硅太阳电池表面
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PVT法合成4H型碳化硅的缺陷表征及形成机理研究
4H-SiC的生长机制有关,提升碳化硅晶体生长质量、减少缺陷应从生长机制入手。 综合本研究,笔者建议在晶体生长过程中使用零微管、单一多型的籽晶,提高籽晶表
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热成像法探测建筑围护结构热工缺陷的研究,作者将通过走访若干个住宅小区及施工现场,实地调研既有居住建筑及在建建筑的围护结构现状,确定既有建筑中存在
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