有关半导体器件的小论文

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特别是SiC、GaN和金刚石薄膜等材料,因具有高热导率、高电子饱和漂移速度和大临界击穿电压等特点,成为研制高频大功率、耐高温、抗辐照半导体微电子器件和电路的理想材料;在通

能量损失。要制成具有这种耗尽层器件是在 年以后, 这与制成很纯、长寿命的半导体 材料有关。 麦克· 凯在贝尔电话实验室, 拉克· 霍罗威 茨在普杜厄大学首先发

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