优质答主摘要电子迁移率晶体管(HEMT)器件由于其击穿场强高、导通电阻低等优越的性能,在高达650 V额定电压等级的高效、高频转换器中有着广泛的应用前景。GaN HEMT
GaNHEMT电力电子器件技术研究进展
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宽禁带半导体紫外感光器件性能研究
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IGBT应用中的过流保护
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电子迁移率晶体管(HEMT)器件由于其击穿场强高、导通电阻低等优越的性能,在高达650 V额定电压等级的高效、高频转换器中有着广泛的应用前景。GaN HEMT
摘要： 电力电子器件经历了传统型电力电子器件和现代电力电子器件两个过渡阶段,现已进入第三代。传统阶段的电力电子器件晶闸管诞生于1957年,至今仍在许多场
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