二硫化钼薄膜的制备文献论文

氧掺杂硫化钼器件的制备方法及表征手段本章首先介绍CVD 制备和等离子掺杂MoS2 薄膜的方法，以及MoS2 微电子器 件制备的工艺流程，再介绍 MoS2 薄膜及

二维二硫化钼薄膜的制备及其性能研究——纳米材料课程论文.docx,kaikaiwang原创作品,原创力文档版权提供，违者必究，纳米材料由于具有较大的表

【摘要】作为过渡金属硫族化合物,二硫化钼具有可调带隙的二维层状材料,其特有 的性质引起科研工作者的广泛关注,在光电子领域有着广阔的应用前景.文章介绍了 二硫化钼的结构及

2)薄膜在电学和光学方面有着独特的性质,以及具有直接带隙的特性,使得其在场效应管器件和传感器等领域内有着广阔的应用前景。 然而,如何改进二硫化钼材料的制

二硫化钼作为层状过渡金属硫化物在光电转换以及催化等领域具有重要的应用前景。本文以钼酸钠,硼化钠和硫代乙酰胺为反应前驱体,在 160度、170 度、180度和 190

本文在结合国内外文献的基础上,综述了水 热法、化学气相沉积法、锂离子-插层剥离法、微乳液法等纳米二硫化钼制备方法 的研究现状,并对各种制备方法的优缺点进行总结,最后展望

出二硫化钼薄膜。结果表明:随着衬底与靶材间距的增加,薄膜的吸收率逐渐降低,结晶度逐渐降低,晶粒尺寸逐渐减小。硫化后的Mo S_2薄膜为2H-Mo S_2结构。衬

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(2)薄膜的重要方法之一,可实现在较低温度下制备均匀的薄膜,而前驱体种类,反应温度,衬底预处理和退火工艺参数等对薄膜质量均有影响.在总结二硫化钼结构及特性的基础上,综述了A

MoS_2)作为一种典型的二维材料~([1]),凭其优异的性能广泛应用于光电子学~([2][3]),纳米器件~([4][5]),柔性电子器件~([6][7])等领域.近年来,低成本高质量制备二硫化