sic肖特基接触研究进展论文

论文目录 摘要 Abstract 1 绪论 1.1 课题研究的背景及意义 1.2 SiC欧姆接触的国内外发展状况 1.3 本文要解决的主要问题 1.4 研究内容和章节安排 2 欧姆接触的基本原理 2.1 金属半导

金属与半导体肖特基接触势垒模型及其载流子传输机制的研究进展／李亚鹏等 · · 57 金属与半导体肖特基接触势垒模型及其载流子传输机制的研究进展 1 2 1 1 2 1 李

从有效 SBH 对温度的依赖可推断出 151 金属/半导体肖特基接触模型研究进展 SBH 的不均匀分布。因此, 是表征肖特基势垒不均匀分布的敏感方法。. 根

SiC 器件:SiC 功率器件主要包括 SiC 二极管、 SiC 开关管和SiC 功率模块等, 以直插式(TO)封装为主, 目前国际上 600~1700 V的碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)、 金氧半场效晶体管(

伴随着国内经济突飞猛进，肖特基势垒二极管研究进展迅速。 2001年复旦大学蒋玉 龙等人温度在78K－299K范围内利用热电子发射理论解释了不同退火温度

Ti 做肖特基接触,采用多层 金属Ni、‘I'i、Ag 舍金做欧姆接触,制作出Ni/4H—SiC、Ti/4H—SiC 肖特基势垒=极 (SBD).研究了在一100～500 屯之间器件正向直流压降

的研究还处于空白,本文从以下方面开展了研究工作: (1)SiC肖特基接触模型研究。本文通过精确求解一维定态薛定谔方程得到电子通过三角形势垒的隧穿几率,该

中国硕士学位论文全文数据库前20条 1温源;SiC表面钝化的第一性原理热力学研究[D];大连理工大学;2013年 2苏慧玲;SiC基稀磁半导体电子结构的第一性原理研究[D];河北工业大学;20

肖特基接触是金属与半导体接触而形成的,是器件实际使用过程中最基础也是最重要的结构之一,肖特基接触的性能的好坏直接影响器件的工作性能。本文使用W/C叠层结构作为接触金属与4H-SiC接触形成整流

接触.研究了Ni /4H-SiC 肖特基势垒在强磁场和低温下的I -V 特性，并以热电子发射理论为基础，结合弛豫近似玻尔兹曼方程对Ni /4H-SiC 肖特基势垒在磁场下的输运性质进行了分析