固体电子研究进展论文

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摘要、作者过去的研究及将来的计划和工作意义都不应在摘要中出现。 ... [1]韩军,柴长春,杨银堂,等. 存在界面陷阱的n沟6H-SiC MOSFET 温度特性研究[J]. 固

咨询记录 · 回答于2024-04-30 08:16:42

固体电子学研究与进展

、作者过去的研究及将来的计划和工作意义都不应在摘要中出现。 ... [1]韩军,柴长春,杨银堂,等. 存在界面陷阱的n沟6H-SiC MOSFET 温度特性研究[J]. 固

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