闩锁效应模拟研究论文

本文利用激光模拟瞬态剂量率效应装置, 针对体硅CMOS工艺解串器 FIN1218MTDX, 进行瞬态剂量率闩锁 效应的实验研究, 探究其闩锁阈值和闩锁电流特征. 实

本论文利用中科院空间中心自主研发的脉冲激光试验装置,以SRAM为主要研究对象,开展脉冲激光模拟单粒子效应试验机理和技术方法的研究,并在此基础上开展单粒子翻转和单粒子闩锁

空间物理学论文:脉冲激光数字器件 单粒子翻转效应 子闩锁效应微闩锁效应 【中文摘要】数字器件包括SRAM、FLASH、FPGA、ASIC、PROM、 EEPROM、CPU 等,是构成航

3.1闩锁效应简介4 3.2闩锁效应机理研究4 3.3闩锁效应触发方式6 4闩锁措施研究6 4.1版图级抗栓所措施6 4.2工艺级抗闩锁措施7 4.3电路应用级抗闩锁措施9 5结论9

集成电路工程毕业论文范文一、论文说明本团队专注于毕业论文写作与辅导服务,擅长案例分析、编程仿真、图表绘制、理论分析等,论文写作300起,具体价格信息联系二

目前以CMOS工艺为基础的集成电路制造方式已经成为当今集成电路产业的主导技术,但早期的CMOS电路由于无法有效预防闩锁效应而并未为人们所接受。文章先对一个CMOS反相器以及它的工作原理进行了详细

闩锁效应(latchup)闩锁效应(latchup)是CMOS必须注意的现象,latch我认为解释为回路更合适,大家以后看到latchup就联想到在NMOS与PMOS里面的回路,其实你就懂了一

本论文以提高Si光电探测器的频率响应带宽为目标,围绕带宽限制因素展开深入研究,提出耦合等效模型,优化光电探测器结构,最终研制出-3 V下400 MHz@850 nm的高速Si

集成电路设计与开发 Desi andDevelopmentofIC 高阻衬底集成 电路抗闩锁效应研究 程东方 ，张铮栋，吕洪涛 “ (上海大学 微电子研发中心，新型显示技术及应用集

应防护设计研究与发展现状. 杨海峰 王睿 龙弯. 【摘要】： 以CMOS器件为基本单元的集成电路已成为当今世界LSI、VLSI、ULSI中应用最为广泛的一种电路结构,